近日，山西省一碳化硅項目宣布開工，將要打造第三代半導體及復合新材料生產基地。

據不完全統(tǒng)計，2023年以來還有11個SiC項目動工，詳情請往下看。

立晶投資9億元

建設600臺SiC襯底項目

4月7日，據山西朔州市融媒體中心消息，平魯區(qū)成功舉行2023年項目集中開復工啟動儀式。平魯區(qū)今年全區(qū)計劃實施重點工程171項，總投資688.47億元，其中包括總投資為9億元的山西立晶碳化硅項目。

據悉，立晶碳化硅項目由平魯區(qū)立航投資發(fā)展有限公司和山東國晶電子科技有限公司共同投資建設，目標打造第三代半導體及復合新材料生產基地。立晶半導體項目負責人劉少晗表示，該項目總投資9億元，計劃投資600臺6英寸碳化硅長晶爐。

項目投資方之一的國晶電子成立于2018年，從事高純碳化硅微粉生產、碳化硅單晶爐的研發(fā)制造。2018年5月，國晶電子投資3億元建設一條5N高純碳化硅微粉生產線和6英寸碳化硅單晶生長研發(fā)中心，項目達產后可年產5N高純碳化硅微粉100噸、6英寸雙坩堝碳化硅單晶爐200臺。

據介紹，國晶電子的獨特技術是——1臺單晶爐可同時生長2個碳化硅晶體。

立晶半導體成立于2022年11月，由國晶韻承（上海）科技有限公司與朔州市平魯區(qū)立航投資發(fā)展有限公司共同出資成立，持股比例分別為56%和44%。公司主營業(yè)務包括半導體器件專用設備制造、銷售。

合計超150億元

2023年SiC開工項目盤點

2023年以來，泰科天潤、合盛硅業(yè)、東莞天域等SiC項目均按下“開工鍵”，總投資金額超150億元。

●泰科天潤：北京SiC項目開工奠基

3月27日，泰科天潤的北京總部項目舉行了開工奠基儀式。該項目計劃建設辦公研發(fā)總部基地及6-8英寸碳化硅功率器件生產基地。

●合盛硅業(yè)：上海SiC項目開工

3月27日，合盛硅業(yè)上海研發(fā)中心在南翔動工，預計全部建成后將著力研發(fā)碳化硅長晶技術和有機硅材料高端產品；該項目總投資為2.5億元，計劃2024年底竣工，達產后年產值約為7.1億元。

●通科半導體：封測項目動工

3月24日，佛山市三水區(qū)云東海街道舉行了2023年重點項目簽約暨動竣工儀式，其中包括通科半導體芯片封裝測試產業(yè)項目奠基動工。

該項目投資額達10.59億元，主要從事半導體分立器件研發(fā)及制造，生產全系列功率器件與集成電路，還將專注于功率半導體器件與集成電路、MCU、車規(guī)級碳化硅、GaN等SiP封裝高端產品領域。

●天域：120萬片項目動工

3月17日，總投資達80億元的天域半導體總部、生產制造中心和研發(fā)中心建設項目在東莞市動工，建成后將用于生產6英寸、8英寸碳化硅外延晶片，預計年產能120萬片。

●山東營口：SiC襯底項目3月開工

3月3日，山東省東營市河口區(qū)人民政府與高金富恒集團在廣州舉行了“碳化硅半導體產業(yè)基地項目”簽約儀式，項目總投資25億元，將年產6英寸碳化硅導電片36萬片，項目在3月開工建設。

●芯動半導體：模組項目奠基

2月26日，長城汽車控股子公司芯動半導體建設的“第三代半導體模組封測項目”奠基典禮在無錫舉行，項目總投資8億元，規(guī)劃車規(guī)級模組年產能為120萬套。

●同光：粉料項目開工

2月22日，河北同光股份碳化硅合成粉料生產線建設項目舉行集中開工儀式，該項目總投資7.4億元，主要產品為碳化硅多晶粉料，項目投產后將實現(xiàn)年產165噸碳化硅合成粉料的產能。

●連城凱克斯：裝備項目奠基

2月10日，連城凱克斯半導體高端裝備研發(fā)制造項目啟動奠基，此次奠基開工的為二期項目，總投資10億元，主要建設碳化硅設備、單晶爐設備、光伏組件設備、ALD設備在內的研發(fā)組裝一體化生產線。

●昕感科技：器件項目開工

2月10日，昕感科技的碳化硅項目舉行開工儀式，該項目總投資20億元，一期投資10億元，將建設碳化硅功率器件芯片及模組生產線。預計全部投產后年產值可達到12億元，畝均稅收約61萬元。

●萃錦半導體：器件項目開工

1月28日，浙江萃錦半導體有限公司年產120萬只中高功率半導體器件產品項目開工，該項目總投資6.5億元，擬建設半導體器件生產廠房，產品涉及SiC器件，主要應用于新能源汽車、光伏、儲能、風電等領域。

●奕斯偉：部件項目開工

1月6日，重慶兩江新區(qū)2023年第一批重大產業(yè)項目開工，其中包括北京奕斯偉科技集團投資打造的奕斯偉硅及碳化硅部件項目。該項目計劃建設一座產能為3萬個/月的硅及碳化硅部件生產工廠。

來源：行家說三代半